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POWER MOS FIELD-EFFECT TRANSISTORS

Power MOS Field-Effect Transistors P-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors DESCRIPTION ■ SOA is power-dissipation limited ■ Nanosecond switching speeds ■ Linear transfer characteristics ■ High input impedance ■ Majority carrier device

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

P-Ch. Enhancement Mode Power MOS Field Effect Transistor

DESCRIPTION The 2N6898 is a P-channel enchancement-mode silicon-gate power MOS field-effect transisotr designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers and drivers for high-power bipolar switching transistors requiring high speed and low g

AMERICASEMI

SOA is power-dissipation limited

DESCRIPTION • SOA is power-dissipation limited • Nanosecond switching speeds • Linear transfer characteristics • High input impedance • Majority carrier device APPLICATIONS • The 2N6898 is designed for application such as switching regulators,switching converters,motor drivers, relay driver

ISC

无锡固电

更新时间:2026-1-2 11:26:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
2023+
MODULE
271
主打螺丝模块系列
HARRIS/哈里斯
23+
TO-3
5000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
MICROCHIP
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专注配单,只做原装进口现货
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CAN
5000
全现原装公司现货
IR
22+
螺丝
8000
原装正品支持实单
HARRIS
专业铁帽
TO-3
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原装铁帽专营,代理渠道量大可订货
IR
22+
MODULE
6000
终端可免费供样,支持BOM配单
HARRIS/哈里斯
2517+
CAN
8850
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    JANTX2N2324AS,ISPLSI2064 -100LT,ISPLSI2032E-180LT48,ISPLSI2032LV-80LT44,ISPLSI2032V-100LJ44,ISPLSI2032V-100LT44,ISPLSI2032A-135L44,ISPLSI2032-80LT,ISPLSI1032E-90L

    2020-1-1