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COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS

COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS ..designed for general-purpose power amplifier and switching applications. FEATURES: * Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)= 0.7 V (Max.) @ lc = 1.5A * Excellent DCCurrent Gain hFE = 25-100 @ lc = 1.5 A * LowLeakage Current- lcex =0.

boca

博卡

Power Transistors

Power Transistors TO-66 Case

Central

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-66 package • Low collector saturation voltage • Low leakage current APPLICATIONS • Designed for general-purpose power amplifier and switching applications

ISC

无锡固电

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-66 package • Low collector saturation voltage • Low leakage current APPLICATIONS • Designed for general-purpose power amplifier and switching applications

SAVANTIC

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package. Bipolar PNP Device. VCEO = 80V IC = 5A

SEME-LAB

更新时间:2025-10-22 20:02:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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专业铁帽
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67500
铁帽原装主营-可开原型号增税票
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专业铁帽
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    JANTX2N2324AS,ISPLSI2064 -100LT,ISPLSI2032E-180LT48,ISPLSI2032LV-80LT44,ISPLSI2032V-100LJ44,ISPLSI2032V-100LT44,ISPLSI2032A-135L44,ISPLSI2032-80LT,ISPLSI1032E-90L

    2020-1-1