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isc Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= -100V(Min.) • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.5V(Max.)@ IC= -5A • Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS • Designed for general-purpose power amplifier and switching applications.

ISC

无锡固电

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= -100V(Min.) • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.5V(Max.)@ IC= -5A • Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS • Designed for general-purpose power amplifier and switching applications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-66 package • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For general–purpose switching and power amplifier applications.

SAVANTIC

Silicon PNP Power Transistors

文件:117.52 Kbytes Page:3 Pages

SAVANTIC

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package

文件:14.17 Kbytes Page:1 Pages

SEME-LAB

更新时间:2025-10-22 20:02:01
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6688
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    2020-1-1