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COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS

COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS ..designed for general-purpose power amplifier and switching applications. FEATURES: * Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)= 0.7 V (Max.) @ lc = 1.5A * Excellent DCCurrent Gain hFE = 25-100 @ lc = 1.5 A * LowLeakage Current- lcex =0.

boca

博卡

Power Transistors

Power Transistors TO-66 Case

Central

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • Excellent Safe Operating Area • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS • Designed for general-purpose power amplifier and switching applications

ISC

无锡固电

COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS

COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS ..designed for general-purpose power amplifier and switching applications. FEATURES: * Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)= 0.7 V (Max.) @ lc = 1.5A * Excellent DCCurrent Gain hFE = 25-100 @ lc = 1.5 A * LowLeakage Current- lcex =0.

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博卡

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package

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SEME-LAB

更新时间:2025-10-30 20:39:01
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    JANTX2N2324AS,ISPLSI2064 -100LT,ISPLSI2032E-180LT48,ISPLSI2032LV-80LT44,ISPLSI2032V-100LJ44,ISPLSI2032V-100LT44,ISPLSI2032A-135L44,ISPLSI2032-80LT,ISPLSI1032E-90L

    2020-1-1