| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR CHIP Description ▪ NPN epitaxial silicon RF transistor for microwave low-noise amplification Features ▪ Low noise and high gain bandwidth product ▪ High power gain Applications ▪ UHF / VHF wide band amplifier | BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海贝岭上海贝岭股份有限公司 |   | ||
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC3355 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has lange dynamic range and good current characteristic. FEATURES • Low Noise and High Gain NF = 1.1 dB TYP., Ga = 8.0 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz | NEC 瑞萨 | | ||
Nylon Cable Clamps 文件：84.39 Kbytes Page：1 Pages | HeycoHeyco. 海科 | | ||
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Designing an application board compatible with either 文件：103.24 Kbytes Page：11 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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BELLING/上海贝岭 |
2024+ |
SOT-23 |
500000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
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BL |
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BL |
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BELLING/上海贝岭 |
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BEILING |
23+ |
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BL |
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BELLING |
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SOT23-5 |
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BL |
2020+ |
SOT23 |
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说明 这种单片稳压器是专为无论是正面的使用或作为一个系列，分流，交换，或浮动稳压负电源与电流高达150mA。目前的要求可能会更高容纳通过外部NPN或PNP功率使用晶体管。这个装置包括一个温度补偿参考放大器，误差放大器，电源系列传输晶体管，电流限制和远程关断电路。该SG723将在整个军事工作环境温度范围-55° C至125° C。 特点 °正或负电源供电 ·系列，分流，交换或浮动操作 ·低电压和负载调节 ·输出可调从2V至37V ·输出电流至150 mA ·低待机漏电流
2013-1-25
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