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N-CHANNEL30V-0.0085OHM-25APowerSO-8TMLOWGATECHARGESTripFETTMIIPOWERMOSFET

DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique“SingleFeatureSize™”strip-basedprocess.Thissilicon,housedinthermallyimprovedSO-8™package,exhibitsoptimalon-resistanceversusgatechargetradeoffpluslowerRthj-c. ■TYPICALRDS(on)=0.0085Ω@

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更新时间:2025-8-4 20:00:01
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