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IXTY1N120P中文资料

厂家型号

IXTY1N120P

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4

功能描述

N-Channel Enhancement Mode

MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXTY1N120P数据手册规格书PDF详情

Polar™ Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Features

• International Standard Packages

• Low QG

• Avalanche Rated

• Low Package Inductance

• Fast Intrinsic Rectifier

Advantages

• High Power Density

• Easy to Mount

• Space Savings

Applications

• DC-DC Converters

• Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies

• AC and DC Motor Drives

• Discharge Circiuts in Lasers, Spark Igniters, RF Generators

• High Voltage Pulse Power Applications

IXTY1N120P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTY1N120P

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-11 8:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
23+
TO-252
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IXYS
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60000
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IXYS/LITTELFUSE
2050
TO-252
15800
全新原装正品现货直销
IXYS
24+
SOT-252
30000
IXYS
08+
15000
普通