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IXTY10P15T中文资料

厂家型号

IXTY10P15T

文件大小

306.7Kbytes

页面数量

2

功能描述

isc P-Channel MOSFET Transistor

MOSFET TrenchP Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

ISC

IXTY10P15T数据手册规格书PDF详情

FEATURES

· Drain Current -ID= -10A@ TC=25℃

· Drain Source Voltage -VDSS= -150V(Min)

· Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 0.35Ω(Max)@VGS= -10V

DESCRIPTION

· DC Choppers

· Current Regulators

· Battery Charger Applications

IXTY10P15T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTY10P15T

  • 功能描述

    MOSFET TrenchP Power MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-7-22 14:37:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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