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IXTU1R4N60P中文资料

厂家型号

IXTU1R4N60P

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4

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

MOSFET 1.4 Amps 600V 9.0 Ohms Rds

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXTU1R4N60P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTU1R4N60P

  • 功能描述

    MOSFET 1.4 Amps 600V 9.0 Ohms Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
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TO-251
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IXYS
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