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位置：IXTU12N06T > IXTU12N06T详情

IXTU12N06T中文资料

IXTU12N06T
厂家型号

IXTU12N06T
文件大小

168.73Kbytes
页面数量

5页
功能描述

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

MOSFET 12 Amps 6V
数据手册

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生产厂商

IXYS

相近规格书

IXTU12N06T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTU12N06T

  • 功能描述

    MOSFET 12 Amps 6V

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

IXTU12N06T供应商...

更新时间：2025-10-13 10:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市一线半导体有限公司
IXTU12N06T
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IXTU12N06T 价格

参考价格：￥3.6528

型号：IXTU12N06T 品牌：IXYS 备注：这里有IXTU12N06T多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IXTU12N06T批发/采购报价，IXTU12N06T行情走势销售排排榜，IXTU12N06T报价。

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