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IXTQ180N055T中文资料

厂家型号

IXTQ180N055T

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5

功能描述

Trench Gate Power MOSFET

MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXTQ180N055T数据手册规格书PDF详情

Trench Gate Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Features

• International standard packages

• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

• Low package inductance

- easy to drive and to protect

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

IXTQ180N055T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTQ180N055T

  • 功能描述

    MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
25+
TO-3P
3000
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
IXYS
22+
TO3P3 SC653
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
25+
TO-3P
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS
20+
TO-3P
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
IXYS
三年内
1983
只做原装正品
IXYS
23+
TO3P
8000
只做原装现货
IXYS
23+
TO3P
7000
IXYS(艾赛斯)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
IXYS/艾赛斯
23+
TO-3P
50000
全新原装正品现货,支持订货
IXYS/艾赛斯
24+
NA/
13188
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票