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IXTQ16N50P中文资料

厂家型号

IXTQ16N50P

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148.85Kbytes

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4

功能描述

PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXTQ16N50P数据手册规格书PDF详情

VDSS = 500 V

ID25 = 16 A

RDS(on) ≤ 400 mΩ

Features

Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

International standard packages

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

IXTQ16N50P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTQ16N50P

  • 功能描述

    MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-11 15:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
24+
TO-3P
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IXYS
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