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IXTA1N80中文资料

厂家型号

IXTA1N80

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2

功能描述

High Voltage MOSFET

MOSFET 1 Amps 800V 11 Rds

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXTA1N80产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTA1N80

  • 功能描述

    MOSFET 1 Amps 800V 11 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-12 17:06:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
24+
TO-263
501583
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
IXYS
24+
TO-263
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS/艾赛斯
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100000
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IXYS/艾赛斯
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TO-263
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当天发货全新原装现货
IXYS(艾赛斯)
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IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS/艾赛斯
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TO-263
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