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IXTA1N100P中文资料

厂家型号

IXTA1N100P

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4

功能描述

Polar Power MOSFET

MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXTA1N100P数据手册规格书PDF详情

Polar Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Features

• International standard packages

• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

• Low package inductance

- easy to drive and to protect

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

Applications

• Switched-mode and resonant-mode power supplies

• DC-DC Converters

• Laser Drivers

• AC and DC motor controls

• Robotics and servo controls

IXTA1N100P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTA1N100P

  • 功能描述

    MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
25+
TO-263
1675
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IXYS
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
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IXYS
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IXYS
23+
TO-263-3
11846
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IXYS
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IXYS/艾赛斯
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IXYS(艾赛斯)
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IXYS
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IXYS
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IXYS
原厂封装
9800
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