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IXGX55N120A3H1中文资料

厂家型号

IXGX55N120A3H1

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2

功能描述

GenX3 1200V IGBTs w/ Diode

IGBT 模块 Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXGX55N120A3H1数据手册规格书PDF详情

Ultra-Low-Vsat PT IGBTs for up to 3kHz Switching

Features

• Optimized for Low Conduction Losses

• Anti-Parallel Ultra Fast Diode

Advantages

• High Power Density

• Low Gate Drive Requirement

Applications

• Power Inverters

• UPS

• Motor Drives

• SMPS

• PFC Circuits

• Battery Chargers

• Welding Machines

• Lamp Ballasts

• Inrush Current Protection Circuits

IXGX55N120A3H1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGX55N120A3H1

  • 功能描述

    IGBT 模块 Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2026-2-25 14:38:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
25+
TO-247-3 变式
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS
25+
TO-247
326
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
IXYS
22+
PLUS247?3
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS(艾赛斯)
25+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS
2016+
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IXYS
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IXYS
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IXYS
23+
TO-247
8000
只做原装现货
IXYS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
IXYS
23+
TO-247
7000