位置:IXGX50N60AU1 > IXGX50N60AU1详情
IXGX50N60AU1中文资料
IXGX50N60AU1数据手册规格书PDF详情
HiPerFASTTM IGBT with Diode
Combi Pack
Features
• Hole-less TO-247 for clip mount
• High current capability
• High frequency IGBT and antiparallel FRED in one package
• Low VCE(sat)
- for minimum on-state conduction
losses
• MOS Gate turn-on
- drive simplicity
• Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
- soft recovery with low IRM
Applications
• AC motor speed control
• DC servo and robot drives
• DC choppers
• Uninterruptible power supplies (UPS)
• Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Advantages
• Space savings (two devices in one
package)
• Reduces assembly time and cost
• High power density
IXGX50N60AU1产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXGX50N60AU1
- 功能描述
IGBT W/DIODE 600V 75A TO-247
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
- 系列
HiPerFAST™
- 标准包装
30
- 系列
GenX3™ IGBT
- 类型
PT 电压 -
- 集电极发射极击穿(最大)
1200V Vge,
- Ic时的最大Vce(开)
3V @ 15V,100A 电流 -
- 集电极(Ic)(最大)
200A 功率 -
- 最大
830W
- 输入类型
标准
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-247-3
- 供应商设备封装
PLUS247?-3
- 包装
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
IXYS |
1503+ |
TO-247 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
IXYS |
22+ |
TO247AD |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS |
25+ |
TO-247-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
6000 |
原装正品,支持实单 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO-247 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
IXGX50N60AU1 资料下载更多...
IXGX50N60AU1 芯片相关型号
- 4610K-101-2222BAD
- 4611K-101-2222BAD
- 5082-331G-JH000
- 5082-333G-KG000
- 91A1AF22D20R51
- 91C1AR22D20R51
- 91R1DR22D20R51
- C052T102K2X5CS
- C056K102K2X5CS
- C056T102K2X5CS
- C5750C0G2J474K
- C5750X7R2E474K
- HLMP-CW37-Q1BDD
- IXSH15N120A
- IXSH15N120AU1
- M38120M1-XXXSS
- M38122EF-XXXFP
- M38123M1-XXXSS
- M38126EF-XXXFP
- NRN6C104JTD
- PL34220191000DDBD
- PRV62WLHM
- TSM-102-03-T-SV-A
- TSM-106-03-T-SV-A
- TSM-108-03-T-SV-A
- UPD703216YGJ-XXX-UEN
- UPD70F3217H
- UPD70F3218HY
- V375A15E24BL
- V375A54E300BS
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
IXYS Corporation
IXYS Corporation是一家知名的半导体公司,成立于1983年,总部位于美国加利福尼亚州。IXYS专注于开发和制造高性能的功率半导体和集成电路,广泛应用于电力电子、工业控制、通信、可再生能源和汽车等领域。 公司以其丰富的产品线而闻名,包括可控硅、IGBT(绝缘栅双极晶体管)、MOSFET(金属氧化物场效应管)、高压二极管和电力模块等。这些产品以高效能、可靠性和先进的技术设计为特点,帮助客户提升系统的性能和能源效率。 IXYS始终重视研发,致力于推动功率电子技术的前沿。通过不断的创新和改进,IXYS能够满足不同行业对高性能和高效率电源解决方案的需求。此外,公司还提供全面的技术支持和服务