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IXGT28N120B中文资料

厂家型号

IXGT28N120B

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功能描述

High Voltage IGBT

IGBT 晶体管 50 Amps 1200V 3.5 V Rds

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXGT28N120B数据手册规格书PDF详情

Features

● High Voltage IGBT for resonant power supplies

- Induction heating

- Rice cookers

● International standard packages

JEDEC TO-268 and JEDEC TO-247 AD

● Low switching losses, low V(sat)

● MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Advantages

● High power density

● Suitable for surface mounting

● Easy to mount with 1 screw, (isolated mounting screw hole)

IXGT28N120B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGT28N120B

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 50 Amps 1200V 3.5 V Rds

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-2-19 15:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
24+
TO-268
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