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IXGT25N160中文资料

厂家型号

IXGT25N160

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功能描述

High Voltage IGBT

IGBT 晶体管 75 Amps 1600V 2.5 Rds

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXGT25N160数据手册规格书PDF详情

High Voltage IGBT

For Capacitor Discharge Applications

Features

• High peak current capability

• Low saturation voltage

• MOS Gate turn-on

-drive simplicity

• Rugged NPT structure

• International standard packages

- JEDEC TO-268 and

- JEDEC TO-247 AD

• Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification

Applications

• Capacitor discharge

• Pulser circuits

Advantages

• High power density

• Suitable for surface mounting

• Easy to mount with 1 screw, (isolated mounting screw hole)

IXGT25N160产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGT25N160

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 75 Amps 1600V 2.5 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-2-11 15:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
24+
TO-268
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IXYS
25+
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