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IXGQ50N60B4D1中文资料

厂家型号

IXGQ50N60B4D1

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7

功能描述

Low-Vsat PT Trench IGBTs

IGBT 晶体管 PT Trench IGBTs Power Device

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXGQ50N60B4D1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGQ50N60B4D1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 PT Trench IGBTs Power Device

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
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TO-3P
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