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IXGJ50N60C4D1中文资料

厂家型号

IXGJ50N60C4D1

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7

功能描述

High-Gain IGBT w/ Diode

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXGJ50N60C4D1数据手册规格书PDF详情

Features

Optimized for Low Switching Losses

Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

Isolated Mounting Surface

2500V~ Electrical Isolation

Anti-Parallel Ultra Fast Diode

Square RBSOA

Applications

Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Lamp Ballasts

更新时间:2025-10-15 17:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
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IXYS/艾赛斯
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IXYS/艾赛斯
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TO-264
60000
全新原装现货
IXYS/艾赛斯
23+
TO-264
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS/Littelfuse
23+
TO-264
15800
全新原装正品现货直销
IXYS(艾赛斯)
25+
-
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞