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IXGH90N60B3中文资料

IXGH90N60B3
厂家型号

IXGH90N60B3
文件大小

839.36Kbytes
页面数量

4页
功能描述

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 90A
数据手册

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生产厂商

IXYS

相近规格书

IXGH90N60B3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH90N60B3

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 90A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

IXGH90N60B3供应商...

更新时间：2025-10-17 14:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市河锋鑫科技有限公司
IXGH90N60B3
IXYS/艾赛斯
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