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IXGH30N60C3中文资料

厂家型号

IXGH30N60C3

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281.01Kbytes

页面数量

6

功能描述

GenX3 600V IGBT

MOSFET 30 Amps 600V

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXGH30N60C3数据手册规格书PDF详情

High Speed PT IGBTs for 40-100kHz switching

Features

Optimized for low switching losses

Square RBSOA

International standard packages

IXGH30N60C3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH30N60C3

  • 功能描述

    MOSFET 30 Amps 600V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-10 13:28:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
24+
Module
1262
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IXYS
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TO-247
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IXYS/艾赛斯
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23+
N/A
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IXYS
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IXGH30N60C3D1 价格

参考价格:¥20.8108

型号:IXGH30N60C3D1 品牌:Ixys 备注:这里有IXGH30N60C3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXGH30N60C3批发/采购报价,IXGH30N60C3行情走势销售排排榜,IXGH30N60C3报价。