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IXGH30N60A中文资料

厂家型号

IXGH30N60A

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2

功能描述

Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

MOSFET 60 Amps 600V 2.6 Rds

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXGH30N60A数据手册规格书PDF详情

Features

International standard packages

2nd generation HDMOS™ process

Low VCE(sat)

- for low on-state conduction losses

High current handling capability

MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Voltage rating guaranteed at high temperature (125°C)

IXGH30N60A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH30N60A

  • 功能描述

    MOSFET 60 Amps 600V 2.6 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-9 16:06:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
5
全新原装 货期两周
IXYS
25+
TO-247
3000
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IXYS
22+
TO247AD (IXGH)
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
17+
TO-247
45
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
Ixys
2023+环保现货
Tube
5050
专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务
IXYS
23+
TO247
8000
只做原装现货
IXYS
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原厂原包装。终端BOM表可配单。可开13%增值税
IXYS
23+
TO247
7000
IXYS
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9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS
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只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718