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IXGB200N60B3中文资料

厂家型号

IXGB200N60B3

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功能描述

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

IGBT 晶体管 GenX3 600V IGBT

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXGB200N60B3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGB200N60B3

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 GenX3 600V IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
25+
TO-264
326
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IXYS
22+
PLUS264?
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
25+
TO-264-3 TO-264AA
9350
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IXYS/艾赛斯
23+
PLUS264
6000
原装正品,支持实单
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS/艾赛斯
23+
TO-TO-220
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IXGB200N60B3 价格

参考价格:¥101.5799

型号:IXGB200N60B3 品牌:Ixys 备注:这里有IXGB200N60B3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXGB200N60B3批发/采购报价,IXGB200N60B3行情走势销售排排榜,IXGB200N60B3报价。