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IXGA50N60C4中文资料

厂家型号

IXGA50N60C4

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6

功能描述

High-Gain IGBTs

IGBT 模块 High Gain IGBTs

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXGA50N60C4数据手册规格书PDF详情

High-Speed PT Trench IGBT

Features

Optimized for Low Switching Losses

International Standard Packages

Square RBSOA

IXGA50N60C4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGA50N60C4

  • 功能描述

    IGBT 模块 High Gain IGBTs

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-12-4 15:41:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
22+
TO263 (IXGA)
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
25+
TO-263
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
IXYS
25+
TO-263
1675
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IXYS/艾赛斯
23+
TO-220
12888
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
原装正品
23+
TO-263
67782
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
24+
8866
JINGDAO/晶导微
23+
TO-252
69820
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