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IS41LV16105B-60TLE中文资料

厂家型号

IS41LV16105B-60TLE

文件大小

131.5Kbytes

页面数量

20

功能描述

1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE

1M x 16(16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE

数据手册

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生产厂商

ISSI

IS41LV16105B-60TLE数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The ISSI IS41LV16105B is 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. Fast Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word. The Byte Write control, of upper and lower byte, makes the IS41LV16105B ideal for use in 16-, 32-bit wide data bus systems.

FEATURES

• TTL compatible inputs and outputs; tristate I/O

• Refresh Interval:

— 1,024 cycles/16 ms

• Refresh Mode:

— RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden

• JEDEC standard pinout

• Single power supply: 3.3V ± 10

• Byte Write and Byte Read operation via two CAS

• Extended Temperature Range: -30oC to +85oC

• Industrial Temperature Range: -40oC to +85oC

• Lead-free available

IS41LV16105B-60TLE产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IS41LV16105B-60TLE

  • 制造商

    ISSI

  • 制造商全称

    Integrated Silicon Solution, Inc

  • 功能描述

    1M x 16(16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE

更新时间:2025-11-1 16:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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