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IS41LV16105B-60T中文资料

厂家型号

IS41LV16105B-60T

文件大小

131.5Kbytes

页面数量

20

功能描述

1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE

动态随机存取存储器 16M 1Mx16 60ns

数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二

生产厂商

ISSI

IS41LV16105B-60T数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The ISSI IS41LV16105B is 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. Fast Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word. The Byte Write control, of upper and lower byte, makes the IS41LV16105B ideal for use in 16-, 32-bit wide data bus systems.

FEATURES

• TTL compatible inputs and outputs; tristate I/O

• Refresh Interval:

— 1,024 cycles/16 ms

• Refresh Mode:

— RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden

• JEDEC standard pinout

• Single power supply: 3.3V ± 10

• Byte Write and Byte Read operation via two CAS

• Extended Temperature Range: -30oC to +85oC

• Industrial Temperature Range: -40oC to +85oC

• Lead-free available

IS41LV16105B-60T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IS41LV16105B-60T

  • 功能描述

    动态随机存取存储器 16M 1Mx16 60ns

  • RoHS

  • 制造商

    ISSI

  • 数据总线宽度

    16 bit

  • 组织

    1 M x 16

  • 封装/箱体

    SOJ-42

  • 存储容量

    16 MB

  • 访问时间

    50 ns

  • 电源电压-最大

    7 V

  • 电源电压-最小

    - 1 V

  • 最大工作电流

    90 mA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 封装

    Tube

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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