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STP8NM60N中文资料

厂家型号

STP8NM60N

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

MOSFET 600V, 7A Pwr MOSFET

数据手册

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生产厂商

ISC

STP8NM60N数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 7.0A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 0.65Ω(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·Motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

STP8NM60N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STP8NM60N

  • 功能描述

    MOSFET 600V, 7A Pwr MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-18 13:40:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
TO-220
3247
只做原厂渠道 可追溯货源
ST/意法
2450+
TO-220
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
ST/进口原
17+
TO-220
6200
ST
24+
TO-220-3
963
ST
24+
TO-220
20000
原装现货热卖
ST
24+
TO-220-3(直引
963
原装现货假一罚十
ST
24+
TO-220
5000
只做原装公司现货
ST
25+23+
TO-220
27642
绝对原装正品全新进口深圳现货
ST
20+
TO-220
38560
原装优势主营型号-可开原型号增税票
ST/意法
23+
TO-220
30000
全新原装现货,价格优势

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