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STP8NM60中文资料

厂家型号

STP8NM60

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

MOSFET N-Ch 600 Volt 8 Amp

数据手册

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生产厂商

ISC

STP8NM60数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Drain Current –ID= 8A@ TC=25℃

• Drain Source Voltage-

: VDSS= 600V(Min)

• Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 1Ω (Max)

• 100 avalanche tested

• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

• Switching application

STP8NM60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STP8NM60

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 600 Volt 8 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-1 16:07:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STKOR
19+
TO-220F
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