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STP60NE10中文资料

厂家型号

STP60NE10

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

MOSFET N-Ch 100 Volt 60 Amp

数据手册

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生产厂商

ISC

STP60NE10数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 60A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS=100V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance;

-RDS(on) = 22mΩ(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·Motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

STP60NE10产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STP60NE10

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 100 Volt 60 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-2-1 13:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
0423+
TO-220
335
上传都是百分之百进口原装现货
ST
24+
TO-220
980
ST
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TO-220
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