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STB11NM60N-1中文资料

厂家型号

STB11NM60N-1

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2

功能描述

isc N-Channel Mosfet Transistor

MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet

数据手册

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生产厂商

ISC

STB11NM60N-1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STB11NM60N-1

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-7 16:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
17+
I2PAK
6200
ST
20+
TO-262
38560
原装优势主营型号-可开原型号增税票
ST
08+PBF
TO220
50
现货
ST
23+
TO-262
50000
全新原装正品现货,支持订货
ST/意法
23+
TO-262
50000
全新原装正品现货,支持订货
ST
08+
TO-262
50
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ST/意法
24+
NA/
3300
原厂直销,现货供应,账期支持!
ST/意法
24+
TO220
19000
只做正品原装现货
SST
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
ST
25+23+
TO263
75848
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货

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