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STB11NM60N-1中文资料
STB11NM60N-1产品属性
- 类型
描述
- 型号
STB11NM60N-1
- 功能描述
MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-5-15 14:24:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
17+ |
I2PAK |
6200 |
||||
ST |
2016+ |
TO220 |
6528 |
只做进口原装现货!假一赔十! |
|||
ST |
20+ |
TO-262 |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
ST |
08+PBF |
TO220 |
50 |
现货 |
|||
ST |
23+ |
TO-262 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ST/意法 |
23+ |
TO-262 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ST |
08+ |
TO-262 |
50 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3300 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
ST/意法 |
22+ |
TO-262 |
20000 |
原装现货,实单支持 |
|||
ST |
21+ |
TO220 |
23480 |
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- MFS8603BMBA0ES
- MFS8603BMDA0ES
- MFS8610BMBA0ES
- MFS8610BMDA0ES
- MFS8611BMBA0ES
- MFS8611BMDA0ES
- MFS8612BMBA0ES
- MFS8612BMDA0ES
- MFS8613BMBA0ES
- MFS8613BMDA0ES
- MFS8620BMBA0ES
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- RUC-1013-26-W110-K
- RUC-1013-26-W220-K
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- P91
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- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
中文资料: 26346条
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
