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PHB9N60E中文资料
PHB9N60E数据手册规格书PDF详情
FEATURES
·Drain Current -ID= 9A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 0.8Ω(Max)@VGS= 10V
DESCRIPTION
·DC-to-DC Converter
·General Industrial Applications
·Power Motor Control
PHB9N60E产品属性
- 类型
描述
- 型号
PHB9N60E
- 制造商
PHILIPS
- 制造商全称
NXP Semiconductors
- 功能描述
PowerMOS transistors Avalanche energy rated
更新时间：2025-5-21 14:01:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
SOT-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
||||
PHILIPS/飞利浦 |
24+ |
TO-263 |
20000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
NXP |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
NXP |
1822+ |
TO-263 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
PANASONIC/松下 |
23+ |
SSOP-8 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
PHILIPS |
08+ |
TO-263 |
20000 |
普通 |
|||
NXP/恩智浦 |
22+ |
SOT-263 |
20000 |
保证原装正品,假一陪十 |
|||
NXP/恩智浦 |
2022+ |
12888 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
||||
N |
23+ |
SOT404(D |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
NXP/恩智浦 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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- 007.0700759
- 014.0700655
- 342-078-541-201
- 48NAVA-2RV33-M2SLASHQ
- 48NAVA-2RV33-RSLASHQ
- 48NAVA-2RV3D-M2SLASHQ
- 48NAVA-2RV3D-MSLASHQ
- 9X4SY
- 9X4SY-010100M
- 9X4SY-010200M
- 9X4SY-010300M
- 9X4SY-368100M
- ATS-09E-193-C2-R0
- LPFUN-161M1WSLASHQ
- LPFUN-161M6SLASHQ
- PHB95N03LT
- PHB95NQ04LT
- PHB96NQ03LT
- SBAT54XV2T5G
- STW80N06-10
- STW80NE06-10
- TCFL0402CF-7N5
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
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无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
