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PHB96NQ03LT中文资料

厂家型号

PHB96NQ03LT

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14

功能描述

N-channel enhancement mode field-effect transistor

MOSFET TAPE13 PWR-MOS

数据手册

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生产厂商

PHI

PHB96NQ03LT数据手册规格书PDF详情

Description

N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology.

Features

■ Low gate charge

■ Low on-state resistance.

Applications

■ Optimized as a control FET in DC to DC converters.

PHB96NQ03LT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHB96NQ03LT

  • 功能描述

    MOSFET TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-29 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
25+
TO263
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