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PHB27NQ10T中文资料
PHB27NQ10T数据手册规格书PDF详情
·DESCRIPTION
·Drain Current ID= 28A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage-
: VDSS= 100V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 50mΩ(Max)@VGS= 10V
·100 avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·General purpose power amplifier
PHB27NQ10T产品属性
- 类型
描述
- 型号
PHB27NQ10T
- 制造商
PHILIPS
- 制造商全称
NXP Semiconductors
- 功能描述
N-channel TrenchMOS transistor
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia USA Inc. |
24+ |
D2PAK |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
NXP/恩智浦 |
24+ |
TO-263 |
2400 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT-404 |
8357 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
NXP/恩智浦 |
24+ |
TO-263 |
504480 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
NXP |
12+ |
TO-263 |
15000 |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
|||
24+ |
3000 |
公司存货 |
|||||
PHILIPS |
17+ |
TO-263 |
6200 |
||||
NXP |
16+ |
NA |
8800 |
诚信经营 |
|||
NXP |
24+ |
TO-263 |
5000 |
只做原装公司现货 |
|||
NXP |
1816+ |
. |
6523 |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
PHB27NQ10T.118 价格
参考价格:¥4.1956
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- 552-02S
- 552-02SCMGI
- 552-02SCMGI8
- 745461601
- 745461602
- 89H32H8G2ZBBLG
- 89H32H8G2ZBBLGI
- 89H32H8G2ZBBLI
- 89H32H8G2ZCBL
- 89H32H8G2ZCBLG
- 89H32H8G2ZCBLGI
- 89H32H8G2ZCBLI
- 89H32T8G2ZBBL
- 89H32T8G2ZBBLG
- 89H32T8G2ZBBLGI
- 89H32T8G2ZBBLI
- 89H32T8G2ZCBL
- 89H32T8G2ZCBLG
- 89H32T8G2ZCBLGI
- 89H32T8G2ZCBLI
- AZ1345-04F-P
- BAS21QB
- BAS21QC
- BUK7520-55A
- P36F28HP2
Datasheet数据表PDF页码索引
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售