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PHB100N03LT中文资料
PHB100N03LT数据手册规格书PDF详情
Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology.
Features
■ TrenchMOS™ technology
■ Low on-state resistance
■ Avalanche ruggedness rated
■ Logic level compatible
■ Surface mount package.
Applications
■ DC to DC converters
■ Synchronous rectification.
更新时间：2026-1-28 16:00:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
17+ |
TO-263 |
6200 |
||||
PHI |
24+ |
TO-263 |
20000 |
||||
PHI |
25+ |
TO-263 |
20000 |
普通 |
|||
PHI |
25+ |
TO-263 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
|||
PHI |
2023+ |
TO-263 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
PHI |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
PHI |
22+ |
TO-263 |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
|||
PHI |
20+ |
TO-263 |
32500 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
|||
PHI |
23+ |
TO-263 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
|||
PHI |
04+ |
TO-263 |
4200 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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