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IXTH12N120数据手册规格书PDF详情
FEATURES
·Drain Current –ID=12A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage-
: VDSS=1200V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) =1.4Ω(Max)@VGS= 10V
·100 avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
DESCRIPTION
·motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
IXTH12N120产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXTH12N120
- 功能描述
MOSFET 12 Amps 1200V 1.300 Rds
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-10-17 16:23:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
25+ |
TO-247 |
4650 |
||||
IXYS场效应 |
100 |
原装现货,价格优惠 |
|||||
24+ |
8866 |
||||||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
5000 |
只做原装公司现货 |
|||
IXYS |
20+ |
TO-247 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
2022+ |
19 |
全新原装 货期两周 |
||||
IXYS |
25+ |
TO-247 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
IXYS/艾赛斯 |
21+ |
TO247 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
IXYS |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
13188 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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IXTH12N120 芯片相关型号
Datasheet数据表PDF页码索引
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