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IXTH120P065T中文资料

厂家型号

IXTH120P065T

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333.05Kbytes

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2

功能描述

Trench P-Channel MOSFET

MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds

数据手册

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生产厂商

ISC

IXTH120P065T数据手册规格书PDF详情

FEATURES

· Drain Current -ID= -120A@ TC=25℃

· Drain Source Voltage -VDSS= -65V(Min)

· Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 10mΩ(Max)@VGS= -10V

APPLICATIONS

· High-Side Switching

· Automatic Test Equipment

· Battery Charger Applications

· DC Choppers

IXTH120P065T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTH120P065T

  • 功能描述

    MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
25+
TO-247
326
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IXYS
22+
TO2473
9000
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25+
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23+
TO247
8000
只做原装现货
IXYS
23+
TO247
7000

IXTH120P065T 价格

参考价格:¥19.0644

型号:IXTH120P065T 品牌:Ixys 备注:这里有IXTH120P065T多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXTH120P065T批发/采购报价,IXTH120P065T行情走势销售排排榜,IXTH120P065T报价。