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ISCND436D中文资料

厂家型号

ISCND436D

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功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

ISCND436D数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·Collector–Emitter Sustaining Voltage

VCEO: 500V(Min)

·Low Collector Saturation Voltage

: VCE(sat) =1.3V(Max.)@ IC= 2A

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Designed for high voltage and general purpose applications.

更新时间:2025-10-16 15:14:00
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