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ISCND217P中文资料

厂家型号

ISCND217P

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245.23Kbytes

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2

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistors

数据手册

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生产厂商

ISC

ISCND217P数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• DC Current Gain -hFE = 150(Min)@ IC= 0.8A

• Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: VCEO(SUS) = 100V(Min)

• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

• Designed for use in general purpose amplifer and switching

applications

更新时间:2025-10-17 15:14:00
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