场效应管(MOSFET) 70W 100 反向传输电容（Crss）：19pF 输入电容（Ciss）：920pF@25V 功率耗散（Pd）：70W 栅源电压（Vgs）：±20V 工作温度范围：-55°C 至 + 175°C主要参数： 漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）：17A 导通电阻（Rds On）：90mΩ@10V，9A 阈值电压（Vgs (th)）：4V@250μA 栅极电荷（Qg）：37nC 反向传输电容（Crss）：19pF 输入电容（Ciss）：920pF@25V 功率耗散（Pd）：70W 栅源电压（Vgs）：±20V 工作温度范围：-55°C 至 + 175°C

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