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FQPF6N90C中文资料
FQPF6N90C数据手册规格书PDF详情
DESCRIPTION
·Drain Current ID= 6A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage-
: VDSS=900V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 2.3Ω(Max)
·100 Avalanche Tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·High current , high speed switching
·Switch mode power supplies
FQPF6N90C产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQPF6N90C
- 功能描述
MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
仙童 |
13+ |
T0-220F |
10000 |
深圳市勤思达科技有限公司主营仙童系列全新原装正品,公司现货供应FQPF6N90C,欢迎咨询洽谈。 |
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FAIRCHILD原装正品价格 |
23+ |
TO-220F |
35000 |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
|||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-220F |
1896 |
公司优势库存热卖全新原装!欢迎来电 |
|||
FAIRCHI |
16 |
TO-220F |
6000 |
原装正品现货 |
|||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-220F |
65400 |
||||
ONSEMI |
18+ROHS |
NA |
8000 |
全新原装!优势库存热卖中! |
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FAIRCHILD |
21+ |
TO-220F |
6880 |
只做原装,质量保证 |
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FAIRCHILD |
21/22+ |
TO-220 |
23584 |
原装正品现货实单价优 |
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仙童 |
24+ |
NA |
6800 |
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ON/安森美 |
2023+ |
TO-220F |
15000 |
AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站 |
FQPF6N90C 价格
参考价格：￥3.8027
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2021-2-21
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ISC相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
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- P97
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
中文资料: 26316条
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
