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BUZ356中文资料

厂家型号

BUZ356

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

SIPMOS Power Transistor(N channel Enhancement mode Avalanche-rated)

数据手册

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生产厂商

ISC

BUZ356数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current : ID= 5.3A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage

: VDSS= 800V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 2.0Ω(Max) @ VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

BUZ356产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUZ356

  • 制造商

    INFINEON

  • 制造商全称

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    SIPMOS Power Transistor(N channel Enhancement mode Avalanche-rated)

更新时间:2026-3-3 10:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
17+
P-TO218-3-1
31518
原装正品 可含税交易
INFINEON/英飞凌
24+
TO 3P
160284
明嘉莱只做原装正品现货
INFINEON
24+
P-TO218-3-1
8866
XI.M.Z
16+
TO-3P
10000
全新原装现货
恩XP
18+
TO-3P
41200
原装正品,现货特价
INFINEON/英飞凌
23+
TO218
50000
全新原装正品现货,支持订货
ADI
23+
TO218
8000
只做原装现货
ADI
23+
TO218
7000
INFINEON/英飞凌
22+
P-TO218-3-1
14425
PHI
25+
TO-3P
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证