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BD648中文资料

厂家型号

BD648

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2

功能描述

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

达林顿晶体管 62.5W PNP Silicon

数据手册

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生产厂商

ISC

BD648产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD648

  • 功能描述

    达林顿晶体管 62.5W PNP Silicon

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

更新时间:2026-1-29 10:21:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
TO-220FA
10000
全新
ST/进口原
17+
TO-220
6200
ROHM
24+
BGA
5000
全现原装公司现货
恩XP
23+
TO-220F
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
ROHM
20+
BGA
32970
原装优势主营型号-可开原型号增税票
PHSSEMICONDUCTOR
2447
NA
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
ST
1922+
TO220
3000
绝对进口原装现货
ST/意法
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
ST
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
恩XP
2022+
TO-220
12888
原厂代理 终端免费提供样品

BD648 晶体管资料

  • BD648别名:BD648三极管、BD648晶体管、BD648晶体三极管

  • BD648生产厂家:德国AEG公司_德国西门子AG公司_德国凡尔伏公司

  • BD648制作材料:Si-P+Darl+Di

  • BD648性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • BD648封装形式:直插封装

  • BD648极限工作电压:80V

  • BD648最大电流允许值:8A

  • BD648最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BD648引脚数:3

  • BD648最大耗散功率:62.5W

  • BD648放大倍数

  • BD648图片代号:B-10

  • BD648vtest:80

  • BD648htest:999900

  • BD648atest:8

  • BD648wtest:62.5

  • BD648代换 BD648用什么型号代替:BD700,BD900,BDW74B,BDX34B,BDX54B,FC50B,