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DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 140V(Min)
·High DC Current Gain-
: hFE= 5000( Min.) @(IC= 7A, VCE= 5V)
·Low Collector Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 2.5V(Max)@ (IC= 7A, IB= 7mA) B
·Complement to Type 2SB1503
APPLICATIONS
·Designed for power amplification.
2SD2276产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SD2276
- 制造商
PANASONIC
- 制造商全称
Panasonic Semiconductor
- 功能描述
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MAT |
22+ |
TO-3PL |
6000 |
十年配单,只做原装 |
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2SD2276 芯片相关型号
2SD2276 晶体管资料
2SD2276别名：2SD2276三极管、2SD2276晶体管、2SD2276晶体三极管
2SD2276生产厂家：日本松下公司
2SD2276制作材料：Si-NPN
2SD2276性质：功率放大 （L）
2SD2276封装形式：直插封装
2SD2276极限工作电压：160V
2SD2276最大电流允许值：8A
2SD2276最大工作频率：20MHZ
2SD2276引脚数：3
2SD2276最大耗散功率：120W
2SD2276放大倍数：β>5000
2SD2276图片代号：B-53
2SD2276vtest：160
2SD2276htest：20000000
- 2SD2276atest：8
2SD2276wtest：120
2SD2276代换 2SD2276用什么型号代替：2SD2222,2SD2250,
Datasheet数据表PDF页码索引
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