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厂家型号	2SD2275
文件大小	251.47Kbytes
页面数量	2页
功能描述	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor Silicon PNP epitaxial planar type Darlington
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	ISC

DESCRIPTION

• Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min)

• High DC Current Gain- : hFE= 5000( Min.) @(IC= 4A, VCE= 5V)

• Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.5V(Max)@ (IC= 4A, IB= 4mA) B

• Complement to Type 2SB1502

APPLICATIONS

• Designed for power amplification.

2SD2275供应商...

更新时间：2026-1-2 14:14:00

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