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IRLW630A中文资料
IRLW630A数据手册规格书PDF详情
BVDSS = 200 V
RDS(on) = 0.4Ω
ID = 9 A
FEATURES
♦ Avalanche Rugged Technology
♦ Rugged Gate Oxide Technology
♦ Lower Input Capacitance
♦ Improved Gate Charge
♦ Extended Safe Operating Area
♦ 150°C Operating Temperature
♦ Lower Leakage Current: 10µA (Max.) @ VDS = 200V
♦ Lower RDS(ON): 0.335Ω (Typ.)
IRLW630A产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRLW630A
- 制造商
FAIRCHILD
- 制造商全称
Fairchild Semiconductor
- 功能描述
ADVANCED POWER MOSFET
更新时间：2025-10-9 16:36:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-263 |
4000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO 263 |
155741 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
2405+ |
TO-263 |
4475 |
只做原装正品渠道订货 |
|||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-263(D2PAK) |
8866 |
||||
仙童 |
06+ |
TO-263 |
3500 |
原装库存 |
|||
FAIRCHIL |
2015+ |
TO-263(D |
12500 |
全新原装,现货库存长期供应 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-126 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
FAIRCHILD |
1709+ |
TO-263/D2 |
32500 |
普通 |
|||
VB |
21+ |
D2-PAK |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
2022+ |
TO-263(D2PAK) |
20000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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Datasheet数据表PDF页码索引
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