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芯片资料

精确

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BVDSS = 100 V

RDS(on) = 0.12Ω

ID = 14 A

FEATURES

♦ Avalanche Rugged Technology

♦ Rugged Gate Oxide Technology

♦ Lower Input Capacitance

♦ Improved Gate Charge

♦ Extended Safe Operating Area

♦ 175°C Operating Temperature

♦ Lower Leakage Current: 10µA (Max.) @ VDS = 100V

♦ Lower RDS(ON): 0. 101Ω (Typ.)

IRLW530A供应商...

更新时间：2025-11-30 19:10:00

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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