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IRLI2203N中文资料

厂家型号

IRLI2203N

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113.34Kbytes

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8

功能描述

HEXFET Power MOSFET

MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP

数据手册

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生产厂商

IRF

IRLI2203N数据手册规格书PDF详情

VDSS = 30V R

DS(on) = 0.007Ω

ID = 61A

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Logic-Level Gate Drive

Advanced Process Technology

solated Package

High Voltage Isolation = 2.5KVRMS

Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm

Fully Avalanche Rated

IRLI2203N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRLI2203N

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-8 11:18:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
25+
TO-220F
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TO-220
10000
原装现货假一罚十