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IRGR3B60KD2TRRP中文资料

厂家型号

IRGR3B60KD2TRRP

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318.84Kbytes

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14

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IGBT 模块

数据手册

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生产厂商

IRF

IRGR3B60KD2TRRP数据手册规格书PDF详情

Features

• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

• Low Diode VF.

• 10µs Short Circuit Capability.

• Square RBSOA.

• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.

• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

• Lead-Free

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control.

• Rugged Transient Performance.

• Low EMI.

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

IRGR3B60KD2TRRP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGR3B60KD2TRRP

  • 功能描述

    IGBT 模块

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-10-5 14:08:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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