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IRGR3B60KD2TRRP中文资料
IRGR3B60KD2TRRP数据手册规格书PDF详情
Features
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
• Low Diode VF.
• 10µs Short Circuit Capability.
• Square RBSOA.
• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
• Lead-Free
Benefits
• Benchmark Efficiency for Motor Control.
• Rugged Transient Performance.
• Low EMI.
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
IRGR3B60KD2TRRP产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRGR3B60KD2TRRP
- 功能描述
IGBT 模块
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
TO252 |
28000 |
原装正品 |
|||
IRF |
23+ |
TO252 |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
IRF |
13+ |
TO252 |
1740 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
IRF |
20+ |
TO252 |
1798 |
进口原装现货,假一赔十 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO252 |
60000 |
||||
IR |
24+ |
NA |
68932 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
IR |
TO252 |
9850 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
1740 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
IR |
2022+ |
TO252 |
20000 |
只做原装进口现货.假一罚十 |
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- 3.0SMCJ90C
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- B32672L0153
- B32672L7473
- BZG03C10
- BZG03C27
- BZG03C270
- BZG03C75
- BZG04-20
- BZW04P33
- CRF1206-FV-R010ELF
- DDZ9714
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- FGA180N33ATDTU
- H11B1M
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Datasheet数据表PDF页码索引
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International Rectifier
International Rectifier Corporation(简称IRF)是一家全球领先的功率半导体制造商,成立于1947年,总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案,其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名,提供多种类型的整流二极管,包括肖特基二极管和超快恢复二极管,同时还开发IGBT(绝缘栅双极晶体管)和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉,并于2014年被英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)收购,这一收购旨在增强英飞凌在