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IRGR3B60KD2TRLP中文资料

厂家型号

IRGR3B60KD2TRLP

文件大小

318.84Kbytes

页面数量

14

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IGBT 模块

数据手册

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生产厂商

International Rectifier

简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

LOGO

IRGR3B60KD2TRLP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGR3B60KD2TRLP

  • 功能描述

    IGBT 模块

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2024-4-30 11:36:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
23+
N/A
37860
正品授权货源可靠
IR
23+
DPAK
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!
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22+
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493
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IR
21+
TO252
10000
原装现货假一罚十
Infineon Technologies
22+
DPak
9000
原厂渠道,现货配单

IRGR3B60KD2TRLP 价格

参考价格:¥6.9828

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  • ISOCOM
  • ISSI
  • IST
  • ITE
  • ITECH
  • ITF
  • ITT

International Rectifier 英飞凌科技公司

中文资料: 29983条

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。 Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技