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IRGR3B60KD2TRLP中文资料
IRGR3B60KD2TRLP产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRGR3B60KD2TRLP
- 功能描述
IGBT 模块
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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23+ |
N/A |
37860 |
正品授权货源可靠 |
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IR |
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DPAK |
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IR |
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IR |
23+ |
TO252 |
50000 |
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Infineon |
22+ |
NA |
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IR |
21+ |
TO252 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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Infineon Technologies |
22+ |
DPak |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
IRGR3B60KD2TRLP 价格
参考价格:¥6.9828
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Datasheet数据表PDF页码索引
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International Rectifier 英飞凌科技公司
英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。 Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技